MIT科学家找到消除糟糕记忆的可行方式
发布于 2013/09/25 17:47
发布于 2013/09/25 17:47
麻省理工学院的科学家称，或许可以通过某种药物实现糟糕记忆的消除。
腾讯科学讯(过客/编译)麻省理工学院的科学家称，他们已经鉴定出一种在“记忆消除”过程扮演着重要角色的基因，这个过程是由新的记忆取代旧的记忆。据研究人员所说，如果能够找到一种方式来增强这种Tet1基因的活性，就有可能带来上瘾和创伤后精神紧张性障碍(PTSD)的最新治疗方法。
在研究中，研究人员将拥有Tet1基因和不具备这种基因的两组老鼠进行了行为对比。两组老鼠都被训练对一个特殊的笼子感到恐惧，每次它们被放入的时候都会遭受一次轻微的电击。被摧毁这种基因的老鼠同正常老鼠一样将笼子与电击联系到一起。但是当研究人员将老鼠放入同一个笼子却没有进行电击时，两组老鼠做出了不同的表现。
拥有正常Tet1基因的老鼠失去了对笼子的恐惧，因为它们被电击的记忆被新的信息所取代。另一组老鼠仍然因为电击的经历而遭受心理创伤。这项研究合著者，麻省理工学院一位博士后AndriiRudenko在一份声明中说道：“它们并未再次进行正常学习，它们似乎被困住了，而且无法消除旧的记忆。”
现在研究人员认为，如果他们能够找到增强Tet1基因活性的方法，那么就有可能帮助那些遭受上瘾以及创伤后精神紧张性障碍的困扰的人们。Rudenko在写给《赫芬顿邮报》科学栏目的邮件中写道：“我们认为增强Tet1基因活性最可能实现的方式就是使用某种药物来作为药理学催化剂，但是这样的催化剂仍然需要进行识别。”
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